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海力士66nm受阻 3000万DDR2内存芯片作废
[ 来源:驱动之家 ] [ 作者:上方文Q ][ 时间:2008-04-03 ]
    来自下游厂商的消息称,海力士半导体(Hynix)在66nm DRAM内存生产上遇到了麻烦,生产良率没有达到预期水准,损失惨重。ihP霏凡软件站> 资讯中心
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    海力士在2007年第四季度引入了66nm技术,但未能获得成功,导致一批3000万颗1Gb DDR2内存芯片存在缺陷,占其月输出量的10%左右,使得海力士无法满足合同订单,最近尔必达和三星电子宣布涨价也与此不无关系。ihP霏凡软件站> 资讯中心
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    尽管DRAM合约价格会可能会因此提高,不过现货价格很可能不会同样受益,因为渠道内的存货量相对非常充足,很多厂商都在年初准备了大量存货,以期内存价格回升。ihP霏凡软件站> 资讯中心
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    另外,业界厂商仍对海力士今年下半年的54nm过渡表示乐观,因为其成本优势依然很明显。ihP霏凡软件站> 资讯中心
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海力士66nm受阻 3000万DDR2内存芯片作废



发布者:小强  责任编辑: 小强   
 
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