·软件主站    ·霏凡论坛    ·电影BT    ·绿色软件专栏    ·广告联系     
 您的位置:首页 > 业界新闻 > Hynix DDR内存技术迈向54nm

Hynix DDR内存技术迈向54nm
[ 来源:驱动之家 ] [ 作者:上方文Q ][ 时间:2007-11-22 ]
    Hynix宣布,其54nm工艺1Gb DDR2 DRAM内存生产技术已经获得Intel的认证许可,这也是内存业界首次步入50nm级别。fng霏凡软件站> 资讯中心
fng霏凡软件站> 资讯中心
    与60nm相比,54nm可以让内存芯片面积减小大约40%之多,从而大大降低生产成本,并改进频率功耗指标。此外,Hynix还提出了“三维晶体管”架构和“W-DPG”技术可以将电流泄漏降到最低,从而进一步降低总体功耗。fng霏凡软件站> 资讯中心
fng霏凡软件站> 资讯中心
    Hynix称,54nm技术将从明年下半年开始用于生产DDR2和DDR3内存芯片,容量1Gb、2Gb,此外该技术还可在未来用于生产显存芯片和移动内存芯片。fng霏凡软件站> 资讯中心
fng霏凡软件站> 资讯中心



发布者:小强  责任编辑: 小强   
 
    ·在线评论

版权所有霏凡软件站 by 中国·福建 闽ICP备05000266号 Copyright(C) 1999-2006 www.crSky.Com All Rights Reserved